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　　8月5日，据报道，SK海力士正在开发400层堆叠的NAND闪存，将于2025年投入大规模量产，再次遥遥领先。

　　为了达成如此密集的堆叠，SK海力士使用了所谓的4D NAND闪存、混合键合技术，也就是W2W(wafer-to-wafer)结构，将两块晶圆键合在一起，和目前将闪存单元置于外围驱动电路之上的PUC结构截然不同。

　　这就涉及到了连接不同晶圆的各种材料和技术，包括抛光、蚀刻、沉淀、引线等各个阶段。

　　其实，这就颇有点长江存储晶栈结构的味道了。

　　SK海力士在去年8月已经展示了321层堆叠闪存的样品，是第一家做到300+层的，而且是TLC。

　　其他厂商方面，三星已经量产290层闪存，目标是2030年超过1000层。

　　美光已经将276层闪存投入实用。

　　铠侠去年达成了218层，暗示有望在2027年就达到1000层。

　　长江存储……不公开，也不能说。